日前，以技(ji)術創新(xin)享(xiang)譽世界的精(jing)工集團與有(you)限公司聯合發布了基于下一(yi)代鐵電(dian)（FeRAM）技術(shu)聯(lian)合開發的項目成果(guo)。此(ci)項新(xin)技術(shu)創建了領先傳統FeRAM 4倍的全新(xin)的高(gao)度集(ji)成化的FeRAM器核心制程，擁有(you)令人耳目一新的(de)(de)超高性能，讀/寫速(su)度達到傳統FeRAM的(de)(de) 3倍，并擁有(you)卓(zhuo)越的(de)(de)可靠性，能夠進行超過(guo)100萬億(yi)次的(de)(de)讀寫循環操作。專(zhuan)家指(zhi)出(chu)，由(you)于這項全新的(de)(de)鐵電制程可以加入至現有(you)的(de)(de)CMOS邏輯電路制程之中(zhong)，因此(ci)很(hen)適合用于大規模制造技術的(de)(de)開發。

      作為一(yi)項(xiang)安全存儲器(qi)領域的尖端(duan)技術(shu)，FeRAM受到(dao)了普(pu)遍(bian)關注(zhu)，此(ci)次精工愛普(pu)生集團聯手通(tong)發布(bu)的(de)研發成(cheng)果(guo)，其性能(neng)水平(ping)在(zai)全球可謂是首(shou)屈一(yi)指(zhi)。據(ju)了(le)解，早在(zai)2005年(nian)6月，雙(shuang)方正(zheng)式(shi)宣布(bu)聯合開(kai)發協議之(zhi)后，愛普生與富士通(tong)公司就開(kai)始攜手致力(li)于下一(yi)代FRAM非易失存儲器領域的(de)技術開(kai)發，并最(zui)終取得了(le)圓滿(man)成(cheng)功，獲得了(le)預期的(de)效果(guo)。

       為(wei)了更(geng)好地將(jiang)這一(yi)領先(xian)技(ji)術(shu)加以應用(yong)，愛普生(sheng)準備將(jiang)此項(xiang)目成果(guo)與(yu)其所(suo)擁有的(de)(de)(de)低功率CMOS技(ji)術(shu)相結(jie)合，進(jin)一(yi)步(bu)加速其在(zai)(zai)大規模(mo)集成電(dian)路（LSI）領域的(de)(de)(de)開(kai)發與(yu)商業化進(jin)程，從而(er)用(yong)于電(dian)池驅動式(shi)(shi)裝(zhuang)置和便攜式(shi)(shi)裝(zhuang)置的(de)(de)(de)生(sheng)產之中。而(er)富士通公司也將(jiang)基于該項(xiang)項(xiang)目成果(guo)繼續開(kai)發大規模(mo)制(zhi)造技(ji)術(shu)，從而(er)使(shi)其在(zai)(zai)FeRAM適用(yong)的(de)(de)(de)安全應用(yong)市場(chang)上(shang)充(chong)分發揮出其低功耗和高讀/寫速度的(de)(de)(de)優點外，進(jin)一(yi)步(bu)開(kai)發內嵌式(shi)(shi)FeRAM微控制(zhi)器的(de)(de)(de)新市場(chang)，從而(er)進(jin)一(yi)步(bu)滿足多元化的(de)(de)(de)消費者(zhe)需求。