富(fu)士通(tong)近日宣布了(le)2 Mbit Ferroelectric RAM (鐵電隨(sui)機存(cun)儲器(qi)，簡稱FRAM或FeRAM)內存(cun)芯片的(de)(de)問(wen)世。該(gai)產品的(de)(de)電氣特性和之前該(gai)公司的(de)(de)1 Mbit FeRAM一(yi)樣(yang)，也(ye)采用(yong)相同的(de)(de)TSOP-48封裝，但容(rong)量提高到原來的(de)(de)兩倍。

FeRAM是(shi)一(yi)種非易(yi)失性內存(cun)，利用一(yi)種鐵(tie)電薄膜來存(cun)儲(chu)數據(ju)，寫入速度比閃(shan)存(cun)更快(kuai)，而功率(lv)則更低，寫入次數更多。

富士通(tong)表(biao)示FeRAM可以(yi)用于(yu)(yu)智能電表(biao)、辦公設備存儲(chu)事件(jian)計數，或者存儲(chu)每(mei)個事件(jian)的不同(tong)參數及(ji)日志(zhi)，而不必考慮寫入(ru)次數問題。FeRAM允許100億(yi)次讀寫周期，相當于(yu)(yu)每(mei)秒(miao)寫入(ru)30次持續10年。另外，FeRAM無(wu)需(xu)電池就可以(yi)將數據保存10年以(yi)上。

FeRAM另一個(ge)理想的應用是車輛導航系統、多功(gong)能打印機、測量儀器(qi)等(deng)等(deng)非易(yi)失性內存用于(yu)存儲各(ge)種(zhong)參數、記錄(lu)設備操作環境或者(zhe)安全信息的領(ling)域。