FeRAM產品結合了ROM的(de)(de)非易性數據(ju)存儲性能(neng)和(he)(he)RAM的(de)(de)優勢，具(ju)有較長的(de)(de)讀寫(xie)次數、高速讀寫(xie)周(zhou)期和(he)(he)低功耗特(te)點。我們的(de)(de)FeRAM產品線具(ju)有多種(zhong)接口(kou)和(he)(he)容量，包括工業(ye)標準(zhun)的(de)(de)串行和(he)(he)并(bing)行接口(kou)；工業(ye)標準(zhun)的(de)(de)封裝類型；64Kb、128Kb、256Kb、1Mb、2Mb和(he)(he)4Mb, 8Mb存儲容量所有Ramtron的(de)(de)FeRAM產品具(ju)備的(de)(de)3大特(te)點，使其不同于其他非易失性存儲技術：
快(kuai)速(su)寫(xie)入FeRAM執(zhi)行寫(xie)操(cao)作的(de)速(su)度(du)和讀(du)操(cao)作的(de)速(su)度(du)一樣快(kuai)。就在總線速(su)度(du)下寫(xie)數據(ju)(ju)而言，FeRAM對(dui)寫(xie)入的(de)數據(ju)(ju)變成非易失(shi)性數據(ju)(ju)并(bing)沒有延(yan)遲。與基于(yu)浮柵技術(shu)的(de)非易失(shi)性存儲器5毫秒(miao)的(de)數據(ju)(ju)讀(du)寫(xie)延(yan)時相比，FeRAM的(de)寫(xie)入速(su)度(du)只(zhi)為幾十納秒(miao)，在汽車(che)安全系(xi)統應用中必不可(ke)少。

高耐久性
FeRAM提供(gong)較高寫入(ru)的(de)(de)耐久(jiu)性，這(zhe)就意味(wei)著它不(bu)存(cun)在像(xiang)其他非(fei)易失(shi)性存(cun)儲器件那樣。對于采用(yong)浮柵(zha)技術的(de)(de)非(fei)易失(shi)性存(cun)儲器而言，存(cun)在1E5時(shi)鐘(zhong)周期的(de)(de)硬故(gu)障和無法寫入(ru)，不(bu)適合應用(yong)于高耐久(jiu)性的(de)(de)應用(yong)。

低功耗
FeRAM操作無(wu)需(xu)(高(gao)壓)充電(dian)激勵，因此可以降低功耗。采用浮柵技術(shu)的(de)非易失存儲器在寫(xie)操作過(guo)程中(zhong)需(xu)要(yao)高(gao)電(dian)壓支持(chi)，而(er)FeRAM的(de)寫(xie)操作只需(xu)要(yao)本身制(zhi)造工藝的(de)的(de)電(dian)壓：5V，3V或通過(guo)提高(gao)工藝使電(dian)壓更低。

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