上海，2013年(nian)07月23日 — 富士(shi)通(tong)半導(dao)體（上海）有限公司(si)今(jin)日(ri)宣布推出(chu)基(ji)于(yu)(yu)(yu)硅襯底的氮化鎵(GaN)功率(lv)器件(jian)芯(xin)片MB51T008A，該(gai)芯(xin)片可耐壓(ya)150 V。富士(shi)通(tong)半導(dao)體將于(yu)(yu)(yu)2013年7月起開始(shi)提供新品樣(yang)片。該(gai)產品初始(shi)狀態(tai)是(shi)斷(duan)開(Normally-off)，相(xiang)比于(yu)(yu)(yu)同等(deng)耐壓(ya)規格的硅功率(lv)器件(jian)，品質(zhi)因數(FOM)可降低近一半。基(ji)于(yu)(yu)(yu)富士(shi)通(tong)半導(dao)體的GaN功率(lv)器件(jian)，用戶可以設計出(chu)體積更小(xiao)，效率(lv)更高的電源組件(jian)，可廣泛(fan)的運(yun)用于(yu)(yu)(yu)家(jia)電、ICT設備和汽(qi)車電子等(deng)領域。

圖1. MB51T008A

MB51T008A具(ju)有(you)許多優點，包括：1)導電(dian)阻13 mΩ，總柵(zha)極電(dian)荷為16 nC，使用(yong)相(xiang)同的(de)(de)(de)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya)，實現的(de)(de)(de)品質因數(FOM)大約是(shi)基于硅的(de)(de)(de)電(dian)源(yuan)(yuan)芯片產(chan)(chan)品的(de)(de)(de)一(yi)半；2)使用(yong)WLCSP封裝，更小(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)寄生(sheng)電(dian)感和高(gao)(gao)頻率(lv)操作；3) 專有(you)的(de)(de)(de)柵(zha)極設(she)計，可(ke)實現默認(ren)關(guan)閉狀(zhuang)態(tai)，可(ke)進行常關(guan)操作。新(xin)產(chan)(chan)品是(shi)數據通信設(she)備、工業(ye)產(chan)(chan)品和汽車(che)電(dian)源(yuan)(yuan)中(zhong)使用(yong)的(de)(de)(de)DC-DC轉換器的(de)(de)(de)高(gao)(gao)邊開(kai)關(guan)和底邊開(kai)關(guan)的(de)(de)(de)理想選擇。此(ci)外，由(you)于其(qi)支持電(dian)源(yuan)(yuan)電(dian)路中(zhong)更高(gao)(gao)的(de)(de)(de)開(kai)關(guan)頻率(lv)，電(dian)源(yuan)(yuan)產(chan)(chan)品可(ke)實現整體尺寸縮小(xiao)(xiao)和效(xiao)率(lv)的(de)(de)(de)提(ti)高(gao)(gao)。富士通半導體計劃于2013年7月(yue)起(qi)開(kai)始提(ti)供樣片，并于2014年開(kai)始批量生(sheng)產(chan)(chan)。

除了提供150 V的(de)耐(nai)壓值(zhi)產(chan)品(pin)，富(fu)士通半(ban)導體還開(kai)發了耐(nai)壓為600 V 和(he) 30 V的(de)產(chan)品(pin)，從(cong)而有(you)助于在更寬廣的(de)產(chan)品(pin)領域提高電源(yuan)效率(lv)。這些(xie)GaN功(gong)率(lv)器件芯(xin)片采用富(fu)士通研究所(suo)自20世紀(ji)80年代(dai)來牽頭開(kai)發的(de)HEMT (高電子(zi)遷(qian)移(yi)率(lv)晶體管(guan))技術(shu)。富(fu)士通半(ban)導體在GaN領域擁有(you)大量的(de)專利(li)技術(shu)和(he)IP ,可迅速將GaN功(gong)率(lv)器件產(chan)品(pin)推向市場(chang)。富(fu)士通半(ban)導體還計劃與客戶在各個行業建立合作伙伴(ban)關(guan)系，以進一步(bu)拓展(zhan)業務。

富士通半導體將于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和(he)其它GaN產品。時間：2013年7月17-19日(ri)，地點：日(ri)本(ben)東京國際博(bo)覽中心。公司(si)會(hui)提(ti)供性能有(you)進(jin)一步提(ti)高(gao)的具有(you)2.5KW輸出功率的電源原形產品和(he)測試(shi)數(shu)據， 該產品的高(gao)頻PFC模塊和(he)高(gao)頻DC-DC轉換器采用(yong)了600V耐壓的GaN功率器件。