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ReRAM


ReRAM: 可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
ReRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，通過向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產(chǎn)生大的電阻差值來存儲(chǔ)“0”和“1”。
其結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，兩側(cè)電極將金屬氧化物包夾于中間，這簡(jiǎn)化了制造工藝，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)低功耗和高速重寫等卓越性能。
此存儲(chǔ)器具備行業(yè)最低讀取電流,非常適用于可穿戴設(shè)備和助聽器。

 

Part Number

Memory
Density

Power
Supply
Voltage

Read
current

Operating
Freq.

Operating
Temp.

Operating
Temp.

Package

MB85AS4MT

4Mbits

1.65~3.6V

10μA

5MHz

Unlimited

-40~85℃

SOP-8

MB85AS8MT

8Mbits

1.6~3.6V

5μA

10MHz

Unlimited

-40~85℃

SOP-8

WLCSP-11

樣品申請(qǐng)

 



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